Продам Лазер для резки полупроводниковых пластин

Оборудование для производства солнечных батарей Основные характеристики и технические параметры: Длина волны лазера: 1.064 μm Точность скрайбирования: ≤±10 μm Максимальная толщина скрайбирования: 1.2 мм Ширина скрайбирования: ≤50 μm Частота повторения лазерных импульсов: 200～50 кГц Максимальная скорость скрайбирования: 120 мм/с Максимальная мощность лазера: ≥50 Вт Размер рабочего полотна: 350×350 мм Источник электроэнергии: 380В（220В）/ 50Гц/ 5KVA Способ охлаждения: снаружи установлена (интегрированная) система циркуляционного гидроохлаждения с постоянной температурой воды. Рабочий стол: 2 камеры воздушного разрежения, 2 Т-образных станции, работающих по очереди. Режим управления: цифровой/обычный: два режима работы: ручной и автоматический. В автоматическом режиме работы можно производить автоламинирование. При использовании ручного режима рабочие осуществляют ламинирование вручную.