Информация, оборудование, промышленность

Механизм размножения дислокаций

Наиболее важный с практической точки зрения механизм размножения дислокаций связан с двойными поперечными скольжениями. Отрезок винтовой дислокации АА, вышедший благодаря двойному поперечному скольжению в плоскость III, способен работать как источник Франка - Рида и испустить несколько скользящих дислокационных петель.

Для этого необходимо, чтобы плоскость III отстояла от плоскости I достаточно далеко, настолько, чтобы отрезок АА не взаимодействовал бы с оставшейся в плоскости I частью дислокации. Общее число таких длинных выбросов не велико обычно 5-20 % от общего числа двойных поперечных скольжений.

Можно показать, что к двойному поперечному скольжению способны только достаточно длинные отрезки дислокаций, удовлетворяющие условию. В противном случае невозможно уже движение отрезка в плоскости II, так как работа внешней силы недостаточна для увеличения длины дислокации при появлении отрезков краевых дислокаций АА3 в плоскости II.

При размножении за счет двойных поперечных скольжений плотность дислокаций увеличивается экспоненциально быстро. Действительно, любой движущийся отрезок винтовой дислокации способен к двойному поперечному скольжению и, следовательно, к генерированию новых отрезков. Установлено, что приращение плотности дислокаций   пропорционально их полному   потоку плотности    и    потоки краевых (винтовых) дислокаций откуда - начальная плотность подвижных дислокаций.

Следовательно, в результате размножения дислокаций при двойных поперечных скольжениях мы получаем сравнительно быстро любую, необходимую для пластической деформации, плотность.

Оценим характерные величины. Получаем из Па = 20 МПа - величину сравнительно небольшую, т. е. в сравнительно однородном материале часть напряжения, уходящая на размножение дислокаций, не велика.

        Положение меняется, если в металле имеются какие-либо малые области с размерами мкм (или весь кристалл). Учтем, что реально больше, чем это следует, так как работа внешней силы идет не только на увеличение длины дислокаций, но и на преодоление других препятствий. Большая ее часть уходит в тепло, деформация маленьких кристаллов требует больших напряжений, чем больших